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定制CVD设备

CVD设备公司具有丰富的设备设计和生产经验。多年来为全世界的客户提供了数千套生产设备和客户定制设备，涉及纳米材料、半导体、医疗器械、太阳能及航天等各领域。
典型客户定制设备如下：


 

沉积、渗透、刻蚀系统及难熔金属涂层制备
典型应用：

  • 在样件表面或内部均匀沉积金属钽、钨、钛、铼等难熔金属薄膜
  • 多孔钽人工关节
  • 氮化硅、碳化硅等薄膜

特点:

  • 适用于三维结构大尺寸样件或多孔材料样件；
  • 可完成样件内表面和外表面涂覆
  • 单个样件或批量样件
  • 石英腔或合金腔

 

超高真空UHVCVD和低压LPCVD双反应腔系统，用于硅、锗硅和纯锗的外延生长；
设备特点：
UHVCVD

  • 低温外延生长，生长速率慢
  • 批量生长
  • 适用于外延生长小于1um薄膜

LPCVD

  • 生长速率快
  • 适用于外延生长1-100um厚膜

 

液相外延设备 (LPE)
特点：

  • 分为卧式水平反应炉和立式垂直反应炉
  • 样片尺寸 2” x 2”或更大

典型应用：碲镉汞外延生长

 

 

 

多反应腔系统
特点：

  • ≥3个反应腔，1个共用自动传送腔和1个预处理腔；
  • 反应腔种类包括 LPCVD, MOCVD, PECVD, RTP, 热蒸发、溅射等

 

 

快速热处理 (RTP)
特点：

  • 样片尺寸 最大可达 1.1 m x 1.1 m
  • 加热率: up to 100 C/S
  • 常压和低压条件可控


 

卷轴式CVD设备
特点:

  • 在柔性衬底上连续沉积

典型应用：超导材料

 

EasyTube SiQC 硅源质量检测系统
特点:

  • 在多晶硅生产线上检测硅源质量
  • 在0.5” x 0.5”尺寸的衬底上生长外延硅
  • 硅源可以是硅烷或者TCS
  • 工艺时间每次2-3小时
  • 电磁感应加热

 

 

硫化、硒化炉系统
特点：

  • 使用H2Se或H2S
  • 配备手套箱确保安全
  • 主要用于CIGS, CIS, and CIGSS 薄膜太阳能电池

 

垂直晶体生长系统
特点：

  • 用于CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe 以及其他晶体材料生长
  • 三温区熔化炉，高温1200 C
  • 三温区生长炉，高温 800 C
  • 旋转功能